杨玉超为芯片装上人类大脑,神经计算机时代

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年1月21日,《麻省理工科技评论》公布了年“35岁以下创新35人”(InnovatorsUnder35China)中国区榜单。从榜单中,我们看到更多中国创新科研力量的崛起,也看到跨学科、跨领域、并且对落地应用有更强烈企图心与使命感的科研创新,这其中涵盖人工智能研究与应用、NLP、脑科学、新材料、新能源、生命科学、生物科技、自动驾驶等多个不同领域。我们将陆续发出对35位获奖者的独家专访,介绍他们的科技创新成果与经验,以及他们对科技趋势的理解与判断。关于InnovatorsUnder35China榜单自年起,《麻省理工科技评论》每年都会推出“35岁以下创新35人”(InnovatorsUnder35China)榜单,旨在于全球范围内评选出被认为最有才华、最具创新精神,以及最有可能改变世界的35位年轻技术创新者或企业家,共分为发明家、创业家、远见者、人文关怀者及先锋者五类。年,该榜单正式推出中国区评选,遴选中国籍的青年科技创新者。新一届榜单正在征集提名与报名,截止时间年5月31日。详情请见文末。“学习好是因为‘强化学习算法’训练的结果,小时候爸妈和学校都会对学习好进行奖励,于是在正反馈的激励下不断强化学习,最终形成了习惯。”杨玉超对于他的成长经历,做了一个科学家式的有趣描述。杨玉超的研究之路充满了传奇色彩,如果要打一个恰当的比喻,那应该是哥伦布发现新大陆式的探索之旅。探索之旅的启程始于年,那个时候杨玉超正在读材料学博士二年级,研究电介质薄膜的时候发现一些制备不好的样品漏电比较大,电流-电压曲线还出现了回滞的窗口,这对于电介质薄膜来讲是不好的现象,属于比较失败的样品。但杨玉超在这个时候没有习惯性地把失败的实验样品丢到垃圾桶,而是刨根究底阅读大量的文献,想要弄清楚这种现象背后的机制。阅读文献的过程中,杨玉超发现他的失败样品和年惠普实验室确立的第四种无源电路元件——忆阻器吻合,意识到这一点后,杨玉超从博士三年级开始就完全转换了研究方向,从此全部投入到忆阻型器件及其应用的研究中。年,杨玉超在NanoLetters上发表了他个人在忆阻器领域的第一篇论文,从实验上直接证实了忆阻器实现存储功能的金属导电细丝机制,惠普公司认为他的工作是忆阻器领域内的“重要进展”。年,杨玉超博士四年级未完,就拿到了密歇根大学实验室的offer,最终他提前博士毕业,开启了5年的留学生涯。在留学期间,杨玉超着重研究导电细丝在RRAM器件中的动力学机制。在将近一年的时间里,杨玉超经历了无数次发现新问题、找新思路解决的曲折过程,终于切实观察到了两种不同的导电细丝生长动力学模式。之后杨玉超继续发挥刨根问底的探索精神,在金属颗粒层面更加深入地研究,最终从根本上解释了迄今为止实验中观察到的所有不同导电细丝生长模式。杨玉超的这一系列研究,属于国际首次,NatureCommunications和美国自然科学基金


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